-
Rof ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર Eo મોડ્યુલેટર 300MHz 1064nm LiNbO3 ફેઝ મોડ્યુલેટર
LiNbO3 તબક્કો મોડ્યુલેટર સારી ઈલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક અસરને કારણે હાઈ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, લેસર સેન્સિંગ અને આરઓએફ સિસ્ટમ્સમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે. ટી-ડિફ્યુઝ્ડ અને એપીઇ ટેક્નોલોજી પર આધારિત આર-પીએમ શ્રેણી, સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે, જે પ્રયોગશાળા પ્રયોગો અને ઔદ્યોગિક પ્રણાલીઓમાં સૌથી વધુ એપ્લિકેશનની જરૂરિયાતને પૂર્ણ કરી શકે છે.
-
Rof ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 1064nm Eo મોડ્યુલેટર LiNbO3 ફેઝ મોડ્યુલેટર 2G
LiNbO3 તબક્કો મોડ્યુલેટર સારી ઈલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક અસરને કારણે હાઈ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, લેસર સેન્સિંગ અને આરઓએફ સિસ્ટમ્સમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે. ટી-ડિફ્યુઝ્ડ અને એપીઇ ટેક્નોલોજી પર આધારિત આર-પીએમ શ્રેણી, સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે, જે પ્રયોગશાળા પ્રયોગો અને ઔદ્યોગિક પ્રણાલીઓમાં સૌથી વધુ એપ્લિકેશનની જરૂરિયાતને પૂર્ણ કરી શકે છે.
-
Rof ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 1064nm Eo મોડ્યુલેટર ફેઝ મોડ્યુલેટર 10G
LiNbO3 તબક્કો મોડ્યુલેટર સારી ઈલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક અસરને કારણે હાઈ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, લેસર સેન્સિંગ અને આરઓએફ સિસ્ટમ્સમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે. Ti-diffused અને APE પર આધારિત R-PM શ્રેણી
ટેક્નોલોજી, સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે, જે પ્રયોગશાળા પ્રયોગો અને ઔદ્યોગિક પ્રણાલીઓમાં સૌથી વધુ એપ્લિકેશનની જરૂરિયાતને પૂર્ણ કરી શકે છે.
-
Rof ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 1064nm લો Vpi ફેઝ મોડ્યુલેટર
રોફ-PM-UV શ્રેણી લો-Vpi તબક્કા મોડ્યુલેટરનીચા હાફ-વેવ વોલ્ટેજ ધરાવે છે(2V), ઓછી નિવેશ નુકશાન, ઉચ્ચ બેન્ડવિડ્થ, ઓપ્ટિકલ પાવરની ઉચ્ચ નુકસાન લાક્ષણિકતાઓ, હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમમાં ચીપનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે પ્રકાશ નિયંત્રણ, સુસંગત સંચાર સિસ્ટમના તબક્કામાં ફેરફાર, સાઇડબેન્ડ આરઓએફ સિસ્ટમ અને ઓપ્ટિકલ ફાઇબર કમ્યુનિકેશન સિસ્ટમના સિમ્યુલેશનને ઘટાડવા માટે થાય છે. બ્રિસ્બેન ડીપ સ્ટિમ્યુલેટેડ સ્કેટરિંગ (SBS), વગેરે.
