-
રોફ ઓપ્ટિકલ મોડ્યુલેટર 780nm ઇલેક્ટ્રો ઓપ્ટિક ફેઝ મોડ્યુલેટર 10G EO મોડ્યુલેટર
ROF-PM શ્રેણી 780nm લિથિયમ નિયોબેટ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક ફેઝ મોડ્યુલેટર અદ્યતન પ્રોટોન એક્સચેન્જ ટેકનોલોજી અપનાવે છે, જેમાં ઓછા નિવેશ નુકશાન, ઉચ્ચ મોડ્યુલેશન બેન્ડવિડ્થ, ઓછા હાફ-વેવ વોલ્ટેજ અન્ય લાક્ષણિકતાઓ છે, જેનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે સ્પેસ ઓપ્ટિકલ કમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, સીઝિયમ એટોમિક ટાઇમ રેફરન્સ, સ્પેક્ટ્રમ બ્રોડનિંગ, ઇન્ટરફેરોમેટ્રી અને અન્ય ક્ષેત્રોમાં થાય છે.
-
રોફ ઓપ્ટિકલ મોડ્યુલેટર 1064nm લો Vpi ફેઝ મોડ્યુલેટર ઇલેક્ટ્રો ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર
રોફ-PM-UV શ્રેણી લો-Vpi ફેઝ મોડ્યુલેટરનીચા અર્ધ-તરંગ વોલ્ટેજ ધરાવે છે(2V), ઓછી નિવેશ ખોટ, ઉચ્ચ બેન્ડવિડ્થ, ઓપ્ટિકલ પાવરની ઉચ્ચ નુકસાન લાક્ષણિકતાઓ, હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમમાં ચીપનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે પ્રકાશ નિયંત્રણ, સુસંગત સંચાર પ્રણાલીના તબક્કા શિફ્ટ, સાઇડબેન્ડ ROF સિસ્ટમ અને બ્રિસ્બેન ડીપ સ્ટિમ્યુલેટેડ સ્કેટરિંગ (SBS) માં ઓપ્ટિકલ ફાઇબર કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમના સિમ્યુલેશનને ઘટાડવા માટે થાય છે.
-
ROF EOM મોડ્યુલેટર પાતળી ફિલ્મ લિથિયમ નિયોબેટ મોડ્યુલેટર લો-Vpi ફેઝ મોડ્યુલેટર
ROF-PM-UV શ્રેણીના લો-Vpi ફેઝ મોડ્યુલેટરમાં હાફ-વેવ વોલ્ટેજ (2.5V), ઇન્સર્શન લોસ ઓછો, બેન્ડવિડ્થ વધારે, ઓપ્ટિકલ પાવરની નુકસાનની ઊંચી લાક્ષણિકતાઓ છે, હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમમાં ચીપ મુખ્યત્વે પ્રકાશ નિયંત્રણ, સુસંગત કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમના ફેઝ શિફ્ટ, સાઇડબેન્ડ ROF સિસ્ટમ અને બ્રિસ્બેન ડીપ સ્ટિમ્યુલેટેડ સ્કેટરિંગ (SBS) વગેરેમાં ઓપ્ટિકલ ફાઇબર કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમના સિમ્યુલેશનને ઘટાડવા માટે વપરાય છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો ઓપ્ટિકલ મોડ્યુલેટર 1064nm ઇઓ મોડ્યુલેટર LiNbO3 ફેઝ મોડ્યુલેટર 2G
LiNbO3 ફેઝ મોડ્યુલેટરનો ઉપયોગ હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, લેસર સેન્સિંગ અને ROF સિસ્ટમમાં વ્યાપકપણે થાય છે કારણ કે તેની ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક અસર સારી છે. Ti-ડિફ્યુઝ્ડ અને APE ટેકનોલોજી પર આધારિત R-PM શ્રેણી સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે, જે પ્રયોગશાળા પ્રયોગો અને ઔદ્યોગિક પ્રણાલીઓમાં મોટાભાગના કાર્યક્રમોની જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો ઓપ્ટિકલ મોડ્યુલેટર 1550nm AM સિરીઝ હાઇ એક્સ્ટીંક્શન રેશિયો ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર
ROF-AM-HER શ્રેણીમાં M – Z પુશ-પુલ સ્ટ્રક્ચર ઇન્ટેન્સિટી પર આધારિત ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટરનો ઉચ્ચ લુપ્તતા ગુણોત્તર, નીચો હાફ વેવ વોલ્ટેજ અને સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે, ખાસ ટેકનોલોજીનો ઉપયોગ કરીને ઉપકરણને DC ના ઉચ્ચ લુપ્તતા ગુણોત્તર સાથે સુનિશ્ચિત કરવામાં આવે છે, અને ઉપકરણમાં ઉચ્ચ પ્રતિભાવ ગતિ છે, અને તેથી તેનો વ્યાપકપણે પ્રકાશ પલ્સ જનરેટર, ઓપ્ટિકલ ફાઇબર સેન્સિંગ, લેસર રડાર અને અન્ય ક્ષેત્રોમાં ઉપયોગ થાય છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો ઓપ્ટિકલ મોડ્યુલેટર વેવલેન્થ 1064nm ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર 10GHz
ROF-AM 1064nm લિથિયમ નિયોબેટઓપ્ટિકલ ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટરઅદ્યતન પ્રોટોન વિનિમય પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ કરે છે, જેમાં ઓછી નિવેશ ખોટ, ઉચ્ચ મોડ્યુલેશન બેન્ડવિડ્થ, ઓછી હાફ-વેવ વોલ્ટેજ અને અન્ય લાક્ષણિકતાઓનો ઉપયોગ અવકાશ ઓપ્ટિકલ કમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, પલ્સ જનરેટિંગ ડિવાઇસ, ક્વોન્ટમ ઓપ્ટિક્સ અને અન્ય ક્ષેત્રોમાં થાય છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 780nm LiNbO3 ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર 10G
LiNbO3 ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટરનો ઉપયોગ હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, લેસર સેન્સિંગ અને ROF સિસ્ટમમાં વ્યાપકપણે થાય છે કારણ કે તેની ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક કામગીરી સારી છે. MZ પુશ-પુલ સ્ટ્રક્ચર અને X-કટ ડિઝાઇન પર આધારિત R-AM શ્રેણીમાં સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ છે, જે પ્રયોગશાળા પ્રયોગો અને ઔદ્યોગિક સિસ્ટમો બંનેમાં લાગુ કરી શકાય છે.
-
લિથિયમ નિયોબેટ MZ મોડ્યુલેટરનું રોફ બાયસ પોઈન્ટ કંટ્રોલર ઓટોમેટિક બાયસ કંટ્રોલ મોડ્યુલ
આરઓએફ-ABC-MZ શ્રેણીના ઓટોમેટિક બાયસ કંટ્રોલ મોડ્યુલનો ઉપયોગ લિથિયમ નિયોબેટ MZ મોડ્યુલેટરના ઓટોમેટિક બાયસ કંટ્રોલ માટે થાય છે, જે મોડ્યુલેટરને સૌથી નીચા બિંદુ, ઉચ્ચતમ બિંદુ અથવા ઓર્થોગોનલ બિંદુ (રેખીય ક્ષેત્ર) પર સ્થિર રીતે કાર્ય કરી શકે છે. મોડ્યુલ 1/99 કપ્લર સાથે પણ સંકલિત છે, જે બાહ્ય સીરીયલ પોર્ટ દ્વારા કાર્યકારી બિંદુના સ્વિચિંગને નિયંત્રિત કરી શકે છે, અને મેન્યુઅલ એડજસ્ટમેન્ટ મોડને સપોર્ટ કરે છે, જે વિવિધ તરંગલંબાઇ મોડ્યુલેટર અને એપ્લિકેશનો માટે યોગ્ય છે, અને યુનિવર્સિટી પ્રયોગશાળાઓ માટે ડેસ્કટોપ પ્રયોગો બનાવવા માટે ખૂબ જ યોગ્ય છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર ઇઓ મોડ્યુલેટર 300MHz 1064nm LiNbO3 ફેઝ મોડ્યુલેટર
LiNbO3 ફેઝ મોડ્યુલેટરનો ઉપયોગ હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, લેસર સેન્સિંગ અને ROF સિસ્ટમમાં વ્યાપકપણે થાય છે કારણ કે તેની ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક અસર સારી છે. Ti-ડિફ્યુઝ્ડ અને APE ટેકનોલોજી પર આધારિત R-PM શ્રેણી સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે, જે પ્રયોગશાળા પ્રયોગો અને ઔદ્યોગિક પ્રણાલીઓમાં મોટાભાગના કાર્યક્રમોની જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 1550nm LiNbO3 ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર 50G
LiNbO3 ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટરનો ઉપયોગ હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, લેસર સેન્સિંગ અને ROF સિસ્ટમમાં વ્યાપકપણે થાય છે કારણ કે તેની ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક કામગીરી સારી છે. MZ પુશ-પુલ સ્ટ્રક્ચર અને X-કટ ડિઝાઇન પર આધારિત R-AM શ્રેણીમાં સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ છે, જે પ્રયોગશાળા પ્રયોગો અને ઔદ્યોગિક સિસ્ટમો બંનેમાં લાગુ કરી શકાય છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 1550nm ફેઝ મોડ્યુલેટર 40G લિથિયમ નિયોબેટ મોડ્યુલેટર
ટાઇટેનિયમ ડિફ્યુઝન પ્રક્રિયા પર આધારિત લિથિયમ નિયોબેટ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિકલ ફેઝ મોડ્યુલેટર (લિથિયમ નિયોબેટ મોડ્યુલેટર) ઓછી ઇન્સર્શન લોસ, હાઇ મોડ્યુલેશન બેન્ડવિડ્થ, લો હાફ વેવ વોલ્ટેજ, હાઇ ડેમેજ ઓપ્ટિકલ પાવર વગેરેની લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે. તેનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ્સમાં ઓપ્ટિકલ ચિરપ કંટ્રોલ, કોઓર્ડેન્ટ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ્સમાં ફેઝ શિફ્ટ, ROF સિસ્ટમ્સમાં સાઇડબેન્ડ્સનું ઉત્પાદન અને એનાલોગ ઓપ્ટિકલ ફાઇબર કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ્સમાં ઉત્તેજિત બ્રિલૌઇન સ્કેટરિંગ (SBS) ઘટાડવાના ક્ષેત્રોમાં થાય છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 1550nm ફેઝ મોડ્યુલેટર 20G લિથિયમ નિયોબેટ મોડ્યુલેટર
ટાઇટેનિયમ ડિફ્યુઝન પ્રક્રિયા પર આધારિત લિથિયમ નિયોબેટ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિકલ ફેઝ મોડ્યુલેટર (લિથિયમ નિયોબેટ મોડ્યુલેટર) ઓછી ઇન્સર્શન લોસ, હાઇ મોડ્યુલેશન બેન્ડવિડ્થ, લો હાફ વેવ વોલ્ટેજ, હાઇ ડેમેજ ઓપ્ટિકલ પાવર વગેરેની લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે. તેનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ્સમાં ઓપ્ટિકલ ચિરપ કંટ્રોલ, કોઓર્ડેન્ટ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ્સમાં ફેઝ શિફ્ટ, ROF સિસ્ટમ્સમાં સાઇડબેન્ડ્સનું ઉત્પાદન અને એનાલોગ ઓપ્ટિકલ ફાઇબર કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ્સમાં ઉત્તેજિત બ્રિલૌઇન સ્કેટરિંગ (SBS) ઘટાડવાના ક્ષેત્રોમાં થાય છે.
