રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 1550nm LiNbO3 ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર 50G
લક્ષણ
* ઓછી નિવેશ ખોટ
* ઉચ્ચ બેન્ડવિડ્થ
* નીચા અર્ધ-તરંગ વોલ્ટેજ
* કસ્ટમાઇઝેશન વિકલ્પ
અરજી
⚫ ROF સિસ્ટમ્સ
⚫ ક્વોન્ટમ કી વિતરણ
⚫ લેસર સેન્સિંગ સિસ્ટમ્સ
⚫ સાઇડ-બેન્ડ મોડ્યુલેશન
| રોફ-AM શ્રેણી | રોફ-સવારે-07 | રોફ-સવારે-08 | રોફ-સવારે-૧૦ | રોફ-સવારે-૧૩ | રોફ-સવારે-૧૫ | |||
| કાર્યકારી તરંગલંબાઇ | ૭૮૦ એનએમ | ૮૫૦એનએમ | ૧૦૬૪એનએમ | ૧૩૧૦ એનએમ | ૧૫૫૦એનએમ | |||
| બેન્ડવિડ્થ | ૧૦ ગીગાહર્ટ્ઝ | ૧૦ ગીગાહર્ટ્ઝ | 10/20ગીગાહર્ટ્ઝ | ૨.૫ ગીગાહર્ટ્ઝ | 50ગીગાહર્ટ્ઝ | ૧૦ ગીગાહર્ટ્ઝ | 20GHz | ૪૦ ગીગાહર્ટ્ઝ |
| નિવેશ નુકશાન | ＜૫ ડેસિબલ | ＜૫ ડેસિબલ | ＜૫ ડેસિબલ | ＜૫ ડેસિબલ | ＜4 ડીબી | |||
| લુપ્તતા ગુણોત્તર @DC | ＞2૦ ડેસિબલ | ＞2૦ ડેસિબલ | ＞2૦ ડેસિબલ | ＞2૦ ડેસિબલ | ＞2૦ ડેસિબલ | |||
| VΠ @RF (1KHz) | ＜3 વોલ્ટ | ＜3 વોલ્ટ | ＜4 વોલ્ટ | <3.5V | ＜6V | <5વી | ||
| VΠ @બાયસ | ＜૩.૫V | ＜૩.૫V | ＜5 વોલ્ટ | <5વી | <8વી | <7વી | ||
ઓર્ડર માહિતી
| રોફ | AM | XX | XXG | XX | XX | XX |
| પ્રકાર: AM---ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર | તરંગલંબાઇ: 07---780nm ૦૮---૮૫૦ એનએમ ૧૦---૧૦૬૦ એનએમ ૧૩---૧૩૧૦ એનએમ ૧૫---૧૫૫૦ એનએમ | બેન્ડવિડ્થ: 10GHz 20GHz ૪૦ ગીગાહર્ટ્ઝ ૫૦ ગીગાહર્ટ્ઝ
| મોનિટર પીડી:પીડી---પીડી સાથે 00 --- કોઈ પીડી નથી | ઇન-આઉટ ફાઇબર પ્રકાર: પીપી---પીએમ/પીએમ
| ઓપ્ટિકલ કનેક્ટર: FA---FC/APC એફપી---એફસી/પીસી એસપી---કસ્ટમાઇઝેશન |
આર-એએમ-૧૫-૫૦જી
વેવલેન્થ 1550nm 50GHz ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર
| પરિમાણ | પ્રતીક | ન્યૂનતમ | પ્રકાર | મહત્તમ | એકમ | ||||
| ઓપ્ટિકલ પરિમાણો | |||||||||
| કાર્યકારી તરંગલંબાઇ | l | ૧૫૩૦ | ૧૫૫૦ | ૧૫૬૫ | nm | ||||
| નિવેશ નુકશાન | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| ઓપ્ટિકલ રીટર્ન લોસ | ઓઆરએલ | -૪૫ | dB | ||||||
| સ્વિચ લુપ્તતા ગુણોત્તર @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| ગતિશીલ લુપ્તતા ગુણોત્તર | ડીઇઆર | 13 | dB | ||||||
| ઓપ્ટિકલ ફાઇબર | ઇનપુટબંદર | પાંડા પીએમ ફુજીકુરા એસએમ | |||||||
| આઉટપુટ પોર્ટ | પાંડા પીએમ ફુજીકુરા એસએમ | ||||||||
| ઓપ્ટિકલ ફાઇબર ઇન્ટરફેસ | FC/PC、FC/APC અથવા વપરાશકર્તા દ્વારા ઉલ્લેખિત | ||||||||
| વિદ્યુત પરિમાણો | |||||||||
| ઓપરેટિંગ બેન્ડવિડ્થ(-3dB） | S21 | 35 | 40 | ગીગાહર્ટ્ઝ | |||||
| અર્ધ-તરંગ વોલ્ટેજ Vpi | RF | @૫૦ કિલોહર્ટ્ઝ |
| 5 | 6 | V | |||
| પક્ષપાત | @બાયસ |
| 7 | 8 | V | ||||
| ઇલેક્ટ્રિકલ રીટર્ન લોસ | S11 | -૧૨ | -૧૦ | dB | |||||
| ઇનપુટ અવબાધ | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| પક્ષપાત | Zપૂર્વગ્રહ | 1M | W | ||||||
| ઇલેક્ટ્રિકલ ઇન્ટરફેસ | V(એફ) | ||||||||
મર્યાદા શરતો
| પરિમાણ | પ્રતીક | એકમ | ન્યૂનતમ | પ્રકાર | મહત્તમ |
| ઇનપુટ ઓપ્ટિકલ પાવર | Pમહત્તમ | ડીબીએમ | 20 | ||
| ઇનપુટ RF પાવર | ડીબીએમ | 28 | |||
| બાયસ વોલ્ટેજ | વીબીઆસ | V | -15 | 15 | |
| સંચાલન તાપમાન | ટોચ | ℃ | -૧૦ | 60 | |
| સંગ્રહ તાપમાન | ટીએસટી | ℃ | -૪૦ | 85 | |
| ભેજ | RH | % | 5 | 90 |
S21 કર્વ
&S11 કર્વ
S21 અને s11 વણાંકો
યાંત્રિક આકૃતિ
| પોર્ટ | પ્રતીક | નોંધ |
| માં | ઓપ્ટિકલ ઇનપુટ પોર્ટ | પીએમ ફાઇબર (૧૨૫μm/૨૫૦μm) |
| બહાર | ઓપ્ટિકલ આઉટપુટ પોર્ટ | પીએમ અને એસએમએફ વિકલ્પ |
| RF | RF ઇનપુટ પોર્ટ | એસએમએ(એફ) |
| પક્ષપાત | બાયસ કંટ્રોલ પોર્ટ | ૧.૨ પૂર્વગ્રહ, ૩૪-એન/સી |
રોફિયા ઓપ્ટોઇલેક્ટ્રોનિક્સ કોમર્શિયલ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર્સ, ફેઝ મોડ્યુલેટર્સ, ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર, ફોટોડિટેક્ટર્સ, લેસર લાઇટ સોર્સ, ડીએફબી લેસર્સ, ઓપ્ટિકલ એમ્પ્લીફાયર્સ, ઇડીએફએ, એસએલડી લેસર, ક્યુપીએસકે મોડ્યુલેશન, પલ્સ લેસર, લાઇટ ડિટેક્ટર, બેલેન્સ્ડ ફોટોડિટેક્ટર, લેસર ડ્રાઇવર, ફાઇબર ઓપ્ટિક એમ્પ્લીફાયર, ઓપ્ટિકલ પાવર મીટર, બ્રોડબેન્ડ લેસર, ટ્યુનેબલ લેસર, ઓપ્ટિકલ ડિટેક્ટર, લેસર ડાયોડ ડ્રાઇવર, ફાઇબર એમ્પ્લીફાયરની પ્રોડક્ટ લાઇન ઓફર કરે છે. અમે કસ્ટમાઇઝેશન માટે ઘણા ચોક્કસ મોડ્યુલેટર્સ પણ પ્રદાન કરીએ છીએ, જેમ કે 1*4 એરે ફેઝ મોડ્યુલેટર્સ, અલ્ટ્રા-લો વીપીઆઇ અને અલ્ટ્રા-હાઇ લુપ્તતા રેશિયો મોડ્યુલેટર્સ, જેનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે યુનિવર્સિટીઓ અને સંસ્થાઓમાં થાય છે.
આશા છે કે અમારા ઉત્પાદનો તમને અને તમારા સંશોધન માટે મદદરૂપ થશે.
