-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 850 એનએમ ઇલેક્ટ્રો ઓપ્ટિક ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર 10G
ROF-AM 850nm લિથિયમ નિયોબેટ ઓપ્ટિકલ ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર એક અદ્યતન પ્રોટોન એક્સચેન્જ પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ કરે છે, જેમાં ઓછી ઇન્સર્શન લોસ, ઉચ્ચ મોડ્યુલેશન બેન્ડવિડ્થ, ઓછી હાફ-વેવ વોલ્ટેજ અને અન્ય લાક્ષણિકતાઓ છે, જેનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે સ્પેસ ઓપ્ટિકલ કમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, સીઝિયમ એટોમિક ટાઇમ બેઝ, પલ્સ જનરેટિંગ ડિવાઇસ, ક્વોન્ટમ ઓપ્ટિક્સ અને અન્ય ક્ષેત્રો માટે થાય છે.
અદ્યતન પ્રોટોન વિનિમય પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ કરે છે, જેમાં ઓછી નિવેશ ખોટ, ઉચ્ચ મોડ્યુલેશન બેન્ડવિડ્થ, ઓછી હાફ-વેવ વોલ્ટેજ અને અન્ય લાક્ષણિકતાઓ છે, જેનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે સ્પેસ ઓપ્ટિકલ કમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, સીઝિયમ એટોમિક ટાઇમ બેઝ, પલ્સ જનરેટિંગ ડિવાઇસ, ક્વોન્ટમ ઓપ્ટિક્સ અને અન્ય ક્ષેત્રો માટે થાય છે. -
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર વેવલેન્થ 1064nm ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર 300M લિથિયમ નિયોબેટ મોડ્યુલેટર
ROF-AM 1064nm લિથિયમ નિયોબેટઓપ્ટિકલ ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર(લિથિયમ નિયોબેટ મોડ્યુલેટર) એ અદ્યતન પ્રોટોન વિનિમય પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ કરે છે, જેમાં ઓછી નિવેશ ખોટ, ઉચ્ચ મોડ્યુલેશન બેન્ડવિડ્થ, ઓછી હાફ-વેવ વોલ્ટેજ અને અન્ય લાક્ષણિકતાઓનો ઉપયોગ અવકાશ ઓપ્ટિકલ કમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, પલ્સ જનરેટિંગ ડિવાઇસ, ક્વોન્ટમ ઓપ્ટિક્સ અને અન્ય ક્ષેત્રોમાં થાય છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 1310nm ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર 2.5G માચ-ઝેન્ડર મોડ્યુલેટર
LiNbO3 ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર (mach-zehnder મોડ્યુલેટર) નો ઉપયોગ હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, લેસર સેન્સિંગ અને ROF સિસ્ટમમાં વ્યાપકપણે થાય છે કારણ કે તેની ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક અસર સારી છે. MZ સ્ટ્રક્ચર અને X-કટ ડિઝાઇન પર આધારિત R-AM શ્રેણીમાં સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ છે, જે પ્રયોગશાળા પ્રયોગો અને ઔદ્યોગિક સિસ્ટમો બંનેમાં લાગુ કરી શકાય છે. -
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર વેવલેન્થ 1064nm ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર 2.5G
ROF-AM 1064nm લિથિયમ નિયોબેટઓપ્ટિકલ ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટરઅદ્યતન પ્રોટોન વિનિમય પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ કરે છે, જેમાં ઓછી નિવેશ ખોટ, ઉચ્ચ મોડ્યુલેશન બેન્ડવિડ્થ, ઓછી હાફ-વેવ વોલ્ટેજ અને અન્ય લાક્ષણિકતાઓનો ઉપયોગ અવકાશ ઓપ્ટિકલ કમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, પલ્સ જનરેટિંગ ડિવાઇસ, ક્વોન્ટમ ઓપ્ટિક્સ અને અન્ય ક્ષેત્રોમાં થાય છે.
