ROF Si એડજસ્ટેબલ ગેઇન ફોટોડિટેક્ટર સિલિકોન ફોટોડિટેક્ટર
લક્ષણ
l સ્પેક્ટ્રલ રેન્જ: 320nm~1100nm
l 3dB બેન્ડવિડ્થ: 11MHz સુધી
મહત્તમ ગેઇન સેટિંગ: 4.75×106 V/A (ઉચ્ચ-અવરોધ લોડ)
l ઓછો અવાજ
l સ્પેશિયલ ઓપ્ટિકલ કપ્લીંગ ઇનપુટ, ફાઇબર કપ્લીંગ વૈકલ્પિક
અરજી
l નબળા પ્રકાશ શોધ
l ફાઇબર ઓપ્ટિક સેન્સિંગ સિસ્ટમ
l અવકાશ ઓપ્ટિકલ સંચાર
ઓર્ડર માહિતી
| મોડેલ પરિમાણ | આરઓએફ-પીઆર-૧૧એમ-બી | આરઓએફ-પીઆર-૧૩એમ-એ |
| પ્રતિભાવ આવર્તન | ડીસી-૧૧મેગાહર્ટ્ઝ | ડીસી-૧૩મેગાહર્ટ્ઝ |
| પ્રકાર | સિલિકોન(Si) | ઇન્ડિયમ ગેલિયમ આર્સેનાઇડ (InGaAs) |
| પ્રકાશ પ્રત્યે સંવેદનશીલતા ૧ | ૩૨૦ એનએમ~૧૧૦૦ એનએમ | ૯૦૦એનએમ~૧૭૦૦એનએમ |
| પ્રકાશસંવેદનશીલ ક્ષેત્ર | Ø૯.૮ મીમી (૭૫.૪ મીમી)2 ) | Ø૧.૦ મીમી (૦.૮ મીમી)2 ) |
નોંધ ૧: અંદાજિત મૂલ્ય; વાસ્તવિક તરંગલંબાઇ મૂલ્ય અલગ અલગ હોઈ શકે છે
પરિમાણો
| પ્રદર્શન સ્પષ્ટીકરણો 2 (KG-PR-11M-B માટે તપાસ સબમિટ કરો, અમે 24 કલાકમાં તમારો સંપર્ક કરીશું.) | |||
| ૦ ડેસિબલ સેટિંગ | ૪૦ ડેસિબલ સેટિંગ | ||
| ગેઇન (ઉચ્ચ પ્રતિકાર> 5k Ω) | ૧.૫૦ x ૧૦3વી/એ ±2% | ગેઇન (ઉચ્ચ પ્રતિકાર> 5k Ω) | ૧.૫૦ x ૧૦5વી/એ ±2% |
| ગેઇન (50 Ω) | ૦.૭૫ x ૧૦3વી/એ ±2% | ગેઇન (50 Ω) | ૦.૭૫ x ૧૦5વી/એ ±2% |
| 3dB બેન્ડવિડ્થ 3 | ૧૧ મેગાહર્ટ્ઝ | 3dB બેન્ડવિડ્થ | ૧૫૦ હજાર |
| ઘોંઘાટ (RMS) | ૪૦૦યુવી | ઘોંઘાટ (RMS) | ૫૦૦યુવી |
| પક્ષપાત | ±8 mV (પ્રકાર.) ±20mV (મહત્તમ) | પક્ષપાત | ±8 mV (પ્રકાર.) ±20mV (મહત્તમ) |
| ૧૦ ડેસિબલ સેટિંગ | ૫૦ ડેસિબલ સેટિંગ | ||
| ગેઇન (ઉચ્ચ પ્રતિકાર> 5k Ω) | ૪.૭૫ x ૧૦3વી/એ ±2% | ગેઇન (ઉચ્ચ પ્રતિકાર> 5k Ω) | ૪.૭૫ x ૧૦5વી/એ ±2% |
| ગેઇન (50 Ω) | ૨.૩૮ x ૧૦3વી/એ ±2% | ગેઇન (50 Ω) | ૨.૩૮ x ૧૦5વી/એ ±2% |
| 3dB બેન્ડવિડ્થ | ૧.૪ મેગાહર્ટ્ઝ | 3dB બેન્ડવિડ્થ | ૫૦ હજાર |
| ઘોંઘાટ (RMS) | ૩૫૦યુવી | ઘોંઘાટ (RMS) | ૫૨૦ યુવી |
| પક્ષપાત | ±8 mV (પ્રકાર.) ±20mV (મહત્તમ) | પક્ષપાત | ±8 mV (પ્રકાર.) ±20mV (મહત્તમ) |
| ૨૦ ડેસિબલ સેટિંગ | ૬૦ ડેસિબલ સેટિંગ | ||
| ગેઇન (ઉચ્ચ પ્રતિકાર> 5k Ω) | ૧.૫૦ x ૧૦4વી/એ ±2% | ગેઇન (ઉચ્ચ પ્રતિકાર> 5k Ω) | ૧.૫૦ x ૧૦6વી/એ ±2% |
| ગેઇન (50 Ω) | ૦.૭૫ x ૧૦4વી/એ ±2% | ગેઇન (50 Ω) | ૦.૭૫ x ૧૦6વી/એ ±2% |
| 3dB બેન્ડવિડ્થ | ૧.૦ મેગાહર્ટઝ | 3dB બેન્ડવિડ્થ | ૨૦ હજાર |
| ઘોંઘાટ (RMS) | ૩૮૦યુવી | ઘોંઘાટ (RMS) | ૭૬૦ યુવી |
| પક્ષપાત | ±8 mV (પ્રકાર.) ±20mV (મહત્તમ) | પક્ષપાત | ±8 mV (પ્રકાર.) ±20mV (મહત્તમ) |
| ૩૦ ડેસિબલ સેટિંગ | ૭૦ ડેસિબલ સેટિંગ | ||
| ગેઇન (ઉચ્ચ પ્રતિકાર> 5k Ω) | ૪.૭૫ x ૧૦4વી/એ ±2% | ગેઇન (ઉચ્ચ પ્રતિકાર> 5k Ω) | ૪.૭૫ x ૧૦6વી/એ ±2% |
| ગેઇન (50 Ω) | ૨.૩૮ x ૧૦4વી/એ ±2% | ગેઇન (50 Ω) | ૨.૩૮ x ૧૦6વી/એ ±2% |
| 3dB બેન્ડવિડ્થ | ૪૦૦ હજાર | 3dB બેન્ડવિડ્થ | ૧૦ હજાર |
| ઘોંઘાટ (RMS) | ૩૮૦યુવી | ઘોંઘાટ (RMS) | ૧.૪૩ એમવી |
| પક્ષપાત | ±8 mV (પ્રકાર.) ±20mV (મહત્તમ) | પક્ષપાત | ±8 mV (પ્રકાર.) ±20mV (મહત્તમ) |
નોંધ ૨:આરઓએફ-PR-11M-B માં 50 Ω શ્રેણી ટર્મિનેટિંગ રેઝિસ્ટર છે (એટલે \u200b\u200bકે એમ્પ્લીફાયર આઉટપુટ સાથે શ્રેણીમાં જોડાયેલ). આ કોઈપણ લોડ અવબાધ સાથે વોલ્ટેજ વિભાજક બનાવે છે (જેમ કે 50 Ω લોડ સિગ્નલને અડધા ભાગમાં વિભાજીત કરે છે).
નોંધ ૩: ૮૫૦nm ની તરંગલંબાઇ પર પરીક્ષણ કરો. નજીકના ઇન્ફ્રારેડ તરંગલંબાઇ માટે, ફોટોડાયોડ ઘટકોનો ઉદય સમય ધીમો પડી જશે, જે એમ્પ્લીફિકેશન ડિટેક્ટરની અસરકારક બેન્ડવિડ્થને મર્યાદિત કરી શકે છે.
સામાન્ય પરિમાણો
| પ્રોજેક્ટ | સિમ | મૂલ્ય |
| ડિટેક્ટર પ્રકાર | - | Si |
| પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી | - | Ø૯.૮ મીમી (૭૫.૪ મીમી)2 ) |
| ટોચની તરંગલંબાઇ | λp | ૯૬૦ એનએમ (પ્રકાર.) |
| શ્રેષ્ઠ પ્રતિભાવ | ( λ પ) | ૦.૭૨ એ/ડબલ્યુ (પ્રકાર.) |
| આઉટપુટ અવબાધ | - | ૫૦Ω |
| મહત્તમ આઉટપુટ વર્તમાન કંપનવિસ્તાર | આઇમેક્સ | ૧૦૦ એમએ |
| મહત્તમ આઉટપુટ વોલ્ટેજ કંપનવિસ્તાર | વીમેક્સ | ૧૦.૦૦V @ ઉચ્ચ અવબાધ ૫.૦૦V@૫૦ Ω ભાર |
| લોડ રેન્જ | - | >૫૦ Ω |
| ગેઇન એડજસ્ટમેન્ટની શ્રેણી | - | ૦ ડેસિબલ~૭૦ ડેસિબલ |
| ગેઇન સ્ટેપ | - | ૧૦ ડીબી |
| પાવર સ્વીચ | - | બાજુ |
| ગેઇન સ્વિચ | - | 8મો ગિયર |
| આઉટપુટ | - | SMA (DC કપલિંગ) |
| ઉત્પાદનના પરિમાણો | - | ૬૬.૬ મીમી*૫૨.૨ મીમી*૨૨.૪ મીમી |
| પીડી સપાટી ઊંડાઈ 4 | - | ૬.૧ મીમી |
| વજન (એસેસરીઝ સિવાય) | - | ૭૦ ગ્રામ |
| એસેસરીઝ | - | SM1T1 કપલિંગ, SM1RR રિટેનિંગ રિંગ |
| વીજ પુરવઠો | - | AC-DC ± 12V એડેપ્ટર |
| પાવર સપ્લાય વોટેજ | - | 6 ડબલ્યુ ૧૦૦ વી/૧૨૦ વી/૨૩૦ વી, ૫૦-૬૦ હર્ટ્ઝ |
નોંધ ૪: હાઉસિંગ સ્ટ્રક્ચરની સપાટીથી ફોટોડાયોડની સપાટી સુધીની અંદાજિત ઊંચાઈ વ્યવહારમાં ઇન્સ્ટોલેશન ભૂલોમાં પરિણમી શકે છે.
મર્યાદિત સ્થિતિ
| પરિમાણ | સિમ | એકમ | ન્યૂનતમ | લાક્ષણિક | મહત્તમ |
| ઇનપુટ ઓપ્ટિકલ પાવર | પિન | mW | - | - | 25 |
| વર્કિંગ વોલ્ટેજ | વોપ | V | ±૧૦.૮ | ±૧૨ | ±૧૩.૨ |
| સંચાલન તાપમાન | ટોચ | ºC | -૧૦ | - | 60 |
| સંગ્રહ તાપમાન | ટીએસટી | ºC | -૪૦ | - | 85 |
| ભેજ | RH | % | 5 | - | 90 |
વળાંક
લાક્ષણિક વળાંક
આરઓએફ-PR-11M-B સંવેદનશીલતા પ્રતિભાવ આકૃતિ
પેકેજ કદ(મીમી)
અમારા વિશે
રોફિયા ઓપ્ટોઇલેક્ટ્રોનિક્સ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક ઉત્પાદનોની વિશાળ શ્રેણી પ્રદર્શિત કરે છે જેમાં મોડ્યુલેટર, ફોટોડિટેક્ટર, લેસર સ્ત્રોત, ડીએફબી લેસર, ઓપ્ટિકલ એમ્પ્લીફાયર, ઇડીએફએ, એસએલડી લેસર, ક્યુપીએસકે મોડ્યુલેશન, પલ્સ્ડ લેસર, ફોટોડિટેક્ટર, બેલેન્સ્ડ ફોટોડિટેક્ટર, સેમિકન્ડક્ટર લેસર, લેસર ડ્રાઇવર્સ, ફાઇબર કપ્લર્સ, પલ્સ્ડ લેસર, ફાઇબર એમ્પ્લીફાયર, ઓપ્ટિકલ પાવર મીટર, બ્રોડબેન્ડ લેસર, ટ્યુનેબલ લેસર, ઓપ્ટિકલ વિલંબ, ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર, ફોટોડિટેક્ટર, લેસર ડાયોડ ડ્રાઇવર્સ, ફાઇબર એમ્પ્લીફાયર, એર્બિયમ-ડોપેડ ફાઇબર એમ્પ્લીફાયર અને સોર્સ લેસરનો સમાવેશ થાય છે.
અમે કસ્ટમ મોડ્યુલેટર પણ પ્રદાન કરીએ છીએ, જેમાં 1*4 એરે ફેઝ મોડ્યુલેટર, અલ્ટ્રા-લો Vpi અને અલ્ટ્રા-હાઈ એક્સ્ટીનિશન રેશિયો મોડ્યુલેટરનો સમાવેશ થાય છે, જે ખાસ કરીને યુનિવર્સિટીઓ અને સંશોધન સંસ્થાઓ માટે રચાયેલ છે.
આ ઉત્પાદનોમાં 40 GHz સુધીની ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક બેન્ડવિડ્થ, 780 nm થી 2000 nm સુધીની તરંગલંબાઇ, ઓછી નિવેશ ખોટ, ઓછી Vp અને ઉચ્ચ PER છે, જે તેમને વિવિધ એનાલોગ RF લિંક્સ અને હાઇ-સ્પીડ કોમ્યુનિકેશન એપ્લિકેશનો માટે યોગ્ય બનાવે છે.
રોફિયા ઓપ્ટોઇલેક્ટ્રોનિક્સ કોમર્શિયલ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર્સ, ફેઝ મોડ્યુલેટર્સ, ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર, ફોટોડિટેક્ટર્સ, લેસર લાઇટ સોર્સ, ડીએફબી લેસર્સ, ઓપ્ટિકલ એમ્પ્લીફાયર્સ, ઇડીએફએ, એસએલડી લેસર, ક્યુપીએસકે મોડ્યુલેશન, પલ્સ લેસર, લાઇટ ડિટેક્ટર, બેલેન્સ્ડ ફોટોડિટેક્ટર, લેસર ડ્રાઇવર, ફાઇબર ઓપ્ટિક એમ્પ્લીફાયર, ઓપ્ટિકલ પાવર મીટર, બ્રોડબેન્ડ લેસર, ટ્યુનેબલ લેસર, ઓપ્ટિકલ ડિટેક્ટર, લેસર ડાયોડ ડ્રાઇવર, ફાઇબર એમ્પ્લીફાયરની પ્રોડક્ટ લાઇન ઓફર કરે છે. અમે કસ્ટમાઇઝેશન માટે ઘણા ચોક્કસ મોડ્યુલેટર્સ પણ પ્રદાન કરીએ છીએ, જેમ કે 1*4 એરે ફેઝ મોડ્યુલેટર્સ, અલ્ટ્રા-લો વીપીઆઇ અને અલ્ટ્રા-હાઇ લુપ્તતા રેશિયો મોડ્યુલેટર્સ, જેનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે યુનિવર્સિટીઓ અને સંસ્થાઓમાં થાય છે.
આશા છે કે અમારા ઉત્પાદનો તમને અને તમારા સંશોધન માટે મદદરૂપ થશે.
