-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિકલ ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર પાતળી ફિલ્મ લિથિયમ નિયોબેટ મોડ્યુલેટર 25G TFLN મોડ્યુલેટર
25G TFLN મોડ્યુલેટર, થિન ફિલ્મ લિથિયમ નિયોબેટ ઇન્ટેન્સિટી મોડ્યુલેટર એ એક ઉચ્ચ-પ્રદર્શન ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિકલ કન્વર્ઝન ડિવાઇસ છે, જે અમારી કંપની દ્વારા સ્વતંત્ર રીતે વિકસાવવામાં આવ્યું છે અને તેમાં સંપૂર્ણ સ્વતંત્ર બૌદ્ધિક સંપદા અધિકારો છે. આ પ્રોડક્ટને અલ્ટ્રા-હાઇ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિકલ કન્વર્ઝન કાર્યક્ષમતા પ્રાપ્ત કરવા માટે ઉચ્ચ-ચોકસાઇ કપલિંગ ટેકનોલોજી દ્વારા પેક કરવામાં આવે છે. પરંપરાગત લિથિયમ નિયોબેટ ક્રિસ્ટલ મોડ્યુલેટરની તુલનામાં, આ પ્રોડક્ટમાં નીચા હાફ-વેવ વોલ્ટેજ, ઉચ્ચ સ્થિરતા, નાના ઉપકરણ કદ અને થર્મો-ઓપ્ટિકલ બાયસ કંટ્રોલની લાક્ષણિકતાઓ છે, અને તેનો ડિજિટલ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન, માઇક્રોવેવ ફોટોનિક્સ, બેકબોન કોમ્યુનિકેશન નેટવર્ક્સ અને કોમ્યુનિકેશન રિસર્ચ પ્રોજેક્ટ્સમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગ થઈ શકે છે.
-
રોફ સેમિકન્ડક્ટર લેસર 1550nm સાંકડી લાઇનવિડ્થ ફ્રીક્વન્સી સ્ટેબિલાઇઝેશન લેસર મોડ્યુલ
માઇક્રો સોર્સ ફોટોન શ્રેણી સાંકડી રેખા પહોળાઈ સેમિકન્ડક્ટર લેસર મોડ્યુલ, અતિ-સાંકડી રેખા પહોળાઈ, અતિ-નીચા RIN અવાજ, ઉત્તમ આવર્તન સ્થિરતા અને વિશ્વસનીયતા સાથે, ઓપ્ટિકલ ફાઇબર સેન્સિંગ અને શોધ સિસ્ટમ્સ (DTS, DVS, DAS, વગેરે) માં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે.
-
રોફ-ક્યુપીડી શ્રેણી એપીડી/પિન ફોટોડિટેક્ટર ચાર-ક્વોડ્રન્ટ ફોટોઇલેક્ટ્રિક ડિટેક્શન મોડ્યુલ 4 ક્વોડ્રન્ટ ફોટોડિટેક્ટર
ROF-QPD શ્રેણીના ચાર-ક્વોડ્રન્ટ ફોટોડિટેક્ટર મોડ્યુલ આયાતી ચાર-ક્વોડ્રન્ટ ફોટોડાયોડ્સ અપનાવે છે અને ખાસ કરીને ડ્રાઇવ સર્કિટ અને લો-નોઇઝ એમ્પ્લીફિકેશન સર્કિટ સાથે ડિઝાઇન કરવામાં આવ્યું છે. તેનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે બીમ પોઝિશન માપન અને ચોક્કસ કોણ માપન માટે થાય છે, જેમાં પ્રતિભાવ તરંગલંબાઇ 400-1700nm (400-1100nm / 800-1700nm) આવરી લે છે. તેનો ઉપયોગ લેસર કોલિમેશન/લેસર કોમ્યુનિકેશન અને લેસર માર્ગદર્શન જેવા ક્ષેત્રોમાં પણ વ્યાપકપણે થાય છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો ઓપ્ટિકલ મોડ્યુલેટર 1064nm Eo મોડ્યુલેટર LiNbO3 ફેઝ મોડ્યુલેટર 2G
LiNbO3 ફેઝ મોડ્યુલેટરનો ઉપયોગ હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, લેસર સેન્સિંગ અને ROF સિસ્ટમમાં વ્યાપકપણે થાય છે કારણ કે તેની ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક અસર સારી છે. Ti-ડિફ્યુઝ્ડ અને APE ટેકનોલોજી પર આધારિત R-PM શ્રેણી સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે, જે પ્રયોગશાળા પ્રયોગો અને ઔદ્યોગિક પ્રણાલીઓમાં મોટાભાગના કાર્યક્રમોની જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર ઇઓ મોડ્યુલેટર 300MHz 1064nm LiNbO3 ફેઝ મોડ્યુલેટર
LiNbO3 ફેઝ મોડ્યુલેટરનો ઉપયોગ હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, લેસર સેન્સિંગ અને ROF સિસ્ટમમાં વ્યાપકપણે થાય છે કારણ કે તેની ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક અસર સારી છે. Ti-ડિફ્યુઝ્ડ અને APE ટેકનોલોજી પર આધારિત R-PM શ્રેણી સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે, જે પ્રયોગશાળા પ્રયોગો અને ઔદ્યોગિક પ્રણાલીઓમાં મોટાભાગના કાર્યક્રમોની જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે.
-
રોફ ઓપ્ટિકલ મોડ્યુલેટર 780nm ઇલેક્ટ્રો ઓપ્ટિક ફેઝ મોડ્યુલેટર 10G EO મોડ્યુલેટર
ROF-PM શ્રેણી 780nm લિથિયમ નિયોબેટ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક ફેઝ મોડ્યુલેટર અદ્યતન પ્રોટોન એક્સચેન્જ ટેકનોલોજી અપનાવે છે, જેમાં ઓછા નિવેશ નુકશાન, ઉચ્ચ મોડ્યુલેશન બેન્ડવિડ્થ, ઓછા હાફ-વેવ વોલ્ટેજ અન્ય લાક્ષણિકતાઓ છે, જેનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે સ્પેસ ઓપ્ટિકલ કમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, સીઝિયમ એટોમિક ટાઇમ રેફરન્સ, સ્પેક્ટ્રમ બ્રોડનિંગ, ઇન્ટરફેરોમેટ્રી અને અન્ય ક્ષેત્રોમાં થાય છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 850nm ફેઝ મોડ્યુલેટર 10G
LiNbO3 ફેઝ મોડ્યુલેટરનો ઉપયોગ હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, લેસર સેન્સિંગ અને ROF સિસ્ટમમાં વ્યાપકપણે થાય છે કારણ કે તેની ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક અસર સારી છે. Ti-ડિફ્યુઝ્ડ અને APE ટેકનોલોજી પર આધારિત R-PM શ્રેણી સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે, જે પ્રયોગશાળા પ્રયોગો અને ઔદ્યોગિક પ્રણાલીઓમાં મોટાભાગના કાર્યક્રમોની જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 1550nm ફેઝ મોડ્યુલેટર 10G linbo3 મોડ્યુલેટર
LiNbO3 ફેઝ મોડ્યુલેટર (linbo3 મોડ્યુલેટર) નો ઉપયોગ હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, લેસર સેન્સિંગ અને ROF સિસ્ટમમાં વ્યાપકપણે થાય છે કારણ કે તેની ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક અસર સારી છે. Ti-ડિફ્યુઝ્ડ અને APE ટેકનોલોજી પર આધારિત R-PM શ્રેણી સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે, જે પ્રયોગશાળા પ્રયોગો અને ઔદ્યોગિક સિસ્ટમોમાં મોટાભાગના એપ્લિકેશનોની જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 1550nm ફેઝ મોડ્યુલેટર 40G લિથિયમ નિયોબેટ મોડ્યુલેટર
ટાઇટેનિયમ ડિફ્યુઝન પ્રક્રિયા પર આધારિત લિથિયમ નિયોબેટ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિકલ ફેઝ મોડ્યુલેટર (લિથિયમ નિયોબેટ મોડ્યુલેટર) ઓછી ઇન્સર્શન લોસ, હાઇ મોડ્યુલેશન બેન્ડવિડ્થ, લો હાફ વેવ વોલ્ટેજ, હાઇ ડેમેજ ઓપ્ટિકલ પાવર વગેરેની લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે. તેનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ્સમાં ઓપ્ટિકલ ચિરપ કંટ્રોલ, કોઓર્ડેન્ટ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ્સમાં ફેઝ શિફ્ટ, ROF સિસ્ટમ્સમાં સાઇડબેન્ડ્સનું ઉત્પાદન અને એનાલોગ ઓપ્ટિકલ ફાઇબર કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ્સમાં ઉત્તેજિત બ્રિલૌઇન સ્કેટરિંગ (SBS) ઘટાડવાના ક્ષેત્રોમાં થાય છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર 1064nm ઇઓ મોડ્યુલેટર ફેઝ મોડ્યુલેટર 10G
LiNbO3 ફેઝ મોડ્યુલેટરનો ઉપયોગ હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમ, લેસર સેન્સિંગ અને ROF સિસ્ટમમાં વ્યાપકપણે થાય છે કારણ કે તેની ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક અસર સારી છે. Ti-diffused અને APE પર આધારિત R-PM શ્રેણી
ટેકનોલોજી, સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે, જે પ્રયોગશાળા પ્રયોગો અને ઔદ્યોગિક પ્રણાલીઓમાં મોટાભાગના ઉપયોગોની જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે.
-
ROF EOM મોડ્યુલેટર ઇલેક્ટ્રો ઓપ્ટિકલ મોડ્યુલેટર લો-Vpi ફેઝ મોડ્યુલેટર
ROF-PM-UV શ્રેણીના લો-Vpi ફેઝ મોડ્યુલેટરમાં હાફ-વેવ વોલ્ટેજ (2.5V), ઇન્સર્શન લોસ ઓછો, બેન્ડવિડ્થ વધારે, ઓપ્ટિકલ પાવરની નુકસાનની ઊંચી લાક્ષણિકતાઓ છે, હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમમાં ચીપ મુખ્યત્વે પ્રકાશ નિયંત્રણ, સુસંગત કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમના ફેઝ શિફ્ટ, સાઇડબેન્ડ ROF સિસ્ટમ અને બ્રિસ્બેન ડીપ સ્ટિમ્યુલેટેડ સ્કેટરિંગ (SBS) વગેરેમાં ઓપ્ટિકલ ફાઇબર કોમ્યુનિકેશન સિસ્ટમના સિમ્યુલેશનને ઘટાડવા માટે વપરાય છે.
-
રોફ ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક મોડ્યુલેટર LiNbO3 MIOC સિરીઝ Y-વેવગાઇડ મોડ્યુલેટર
R-MIOC સિરીઝ Y-વેવગાઇડ મોડ્યુલેટર એ માઇક્રોઇલેક્ટ્રોનિક ટેકનોલોજી પર આધારિત LiNbO3 મલ્ટિફંક્શનલ ઇન્ટિગ્રેટેડ ઓપ્ટિકલ સર્કિટ (LiNbO3 MIOC) છે, જે પોલરાઇઝર અને વિશ્લેષક, બીમ સ્પ્લિટિંગ અને કોમ્બિનિંગ, ફેઝ મોડ્યુલેશન અને અન્ય કાર્ય પ્રાપ્ત કરી શકે છે. વેવગાઇડ્સ અને ઇલેક્ટ્રોડ્સ LiNbO3 ચિપ પર ફેબ્રિકેટ કરવામાં આવે છે, આઉટપુટ અને ઇનપુટ ફાઇબરને વેવગાઇડ્સ સાથે ચોક્કસ રીતે જોડવામાં આવે છે, પછી સારી કામગીરી અને ઉચ્ચ વિશ્વસનીયતા મેળવવા માટે આખી ચિપને ગોલ્ડ-પ્લેટેડ કોવર હાઉસિંગમાં સમાવિષ્ટ કરવામાં આવે છે.
